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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 119 个

  • 延时开关电路设计、电路图、原理-KIA MOS管

    延时开关电路，当人工按动开关时，电源接通对电路供电，待一定的时间，电源自动被切断，对电路停止供电。或者当按动开关的时候，电路过一段时间才开始供电的电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/4473.html         2023-09-08

  • 恒流源电路详解,恒流源电路图及原理-KIA MOS管

    恒流恒压电源内部有两个控制单元，一个是稳压控制单元，在负载发生变化的情况下，努力使输出电压保持稳定，前提是输出电流必须小于预先设定的恒流值。

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    www.kiaic.com/article/detail/4464.html         2023-09-05

  • adc0809详解，adc0809工作原理-KIA MOS管

    ADC0809是一种CMOS工艺8通道，8位逐次逼近式A/D模数转换器。其内部有一个8通道多路开关，它可以根据地址码锁存译码后的信号，只选通8路模拟输入信号中的一个进行A/D转换。主要适用于对精度和采样速率要求不高的场合或一般的工业控制领域，可以和单片机直接相连...

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    www.kiaic.com/article/detail/4462.html         2023-09-04

  • ttl电路-ttl电路图,工作原理-KIA MOS管

    ttl电路--ttl（Transistor-TransistorLogic）双管逻辑电路，是一种广泛使用的数字电子电路类型。TTL电路采用双极型工艺制造，具有低功耗、高噪声抑制、高稳定性等特点。

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    www.kiaic.com/article/detail/4419.html         2023-08-22

  • 施密特电路,施密特触发器电路原理-KIA MOS管

    施密特触发器是一种具有迟滞的比较器电路，通过向比较器或差分放大器的同相输入端施加正反馈来实现。施密特触发器使用两个输入不同的阈值电压电平来避免输入信号中的噪声，这种双阈值的作用称为滞后。

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    www.kiaic.com/article/detail/4431.html         2023-08-17

  • 过零检测电路,过零检测电路图及原理-KIA MOS管

    过零检测电路--零点电压检测(通常简称为过零检测)技术被广泛应用，通过检测电路追踪交流电的电压变化过程，在交流电压为”零”的时刻输出信号

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    www.kiaic.com/article/detail/4420.html         2023-08-11

  • 蜂鸣器驱动电路,蜂鸣器驱动电路原理-KIA MOS管

    蜂鸣器主要分为压电式(piezoelectrictype)与电磁式(electromagnetictype)。压电式蜂鸣器的发声源通常是指压电陶瓷片(piezoelectricceramics)，在其两个电极上施加交流信号，其本身就会因径向振动而发声。

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    www.kiaic.com/article/detail/4415.html         2023-08-10

  • PIN二极管介绍-PIN光电二极管结构及原理-KIA MOS管

    光电二极管是反向偏置工作的PN结二极管，DVD播放器，CD驱动器中经常会使用到它。PIN型光电二极管也称PIN结二极管、PIN二极管，在两种半导体之间的 PN结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，在P区与N区之间生成I型层，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。...

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    www.kiaic.com/article/detail/4383.html         2023-07-26

  • ​高压超结MOS Super Junction结构及原理-KIA MOS管

    高压的功率 MOSFET 通常采用平面型结构，其中，厚的低掺杂的 N-的外延层，即 epi 层，用来保证具有足够的击穿电压，低掺杂的 N-的 epi 层的尺寸越厚，耐压的额定值越大，但是其导通电阻也急剧的增大。

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    www.kiaic.com/article/detail/4363.html         2023-07-18

  • SiC MOSFET驱动电路设计基础及原理-KIA MOS管

    SiC MOSFET对驱动电路的基本要求主要有:①驱动电流要足够大，以缩短米勒平台的持续时间使驱动脉冲前后沿足够陡峭，尤其在多管并联的工况下;

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    www.kiaic.com/article/detail/4160.html         2023-04-03

  • 双向Buck-Boost变换器的结构、原理-KIA MOS管

    非隔离双向Buck-Boost变换器是双向DC-DC变换器的最基础拓扑，也是工业界最常用的拓扑，它由2个开关管、1个电感、2个电容组成。其电路结构如图1非隔离双向Buck-Boost变换器结构所示。

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    www.kiaic.com/article/detail/4105.html         2023-03-07

  • 图文详解DC-DC、LDO的结构、工作原理-KIA MOS管

    DC-DC包括boost（升压）、buck（降压）、Boost/buck（升/降压）和反相结构，具有高效率、高输出电流、低静态电流等特点，随着集成度的提高，许多新型DC-DC转换器的外围电路仅需电感和滤波电容，优点是效率高，输入电压范围较宽，但是输入输出的压差相对LDO要求...

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    www.kiaic.com/article/detail/4100.html         2023-03-06

  • PFC电路分类与作用 PFC电路工作原理-KIA MOS管

    被动式PFC一般分“电感补偿式”和“填谷电路式（ValleyFillCircuit）”“电感补偿方法”是使交流输入的基波电流与电压之间相位差减小来提高功率因数，被动式PFC包括静音式被动PFC和非静音式被动PFC。

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    www.kiaic.com/article/detail/4071.html         2023-02-20

  • PMOS设计反向电压保护电路、原理-KIA MOS管

    下图说明了如何使用 P 沟道MOSFET作为反向电压保护的电路连接。需要注意的是MOSFET必须安装在电源端。其中漏极D必须连接到电池的正极，栅极必须连接到系统接地端。

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    www.kiaic.com/article/detail/4011.html         2023-01-10

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